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有机半导体材料具有质量轻、柔韧易加工性、可低温大面积成膜等特点,将低成本的有机半导体材料用于微电子及光电子器件的研究近年来受到高度重视。六噻吩(6T)是迄今发现空穴迁移率最高的有机半导体材料之一,是有机薄膜晶体管半导体层、有机发光二极管空穴传输层、以及有机薄膜太阳电池电子给体层的潜在备选材料,相关薄膜沉积工艺及器件研究非常必要。采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,控制生长速率和基底温度,分别在柔性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)绝缘层和柔性氧化铟锡(ITO)透明导电层上真空蒸发沉积了分子有序排