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【摘 要】
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通用存储器利用电脉冲诱导相变材料在非晶相与多晶相之间在纳秒级别地转变,其电阻率随之改变进行数据存储。常用的相变材料是用于蓝光DVD的Ge2Sb2Te5纳米薄膜。Sb2Te3-Six(x =0,0.4,2)具有通用存储器要求的更优异的电性能的一种很有潜力的相变材料。但其相变机制至今尚无公认的结论,这严重制约了此类材料的发展和应用。澄清该类相变材料的相变机制具有极其重要的科学意义和实际应用价值。本文选
【机 构】
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北京工业大学
【发表日期】
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2007年01期
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