功率半导体器件是电力电子变换器的核心部件,压接式器件因具有可靠性高、失效后呈现短路等特点而受到了关注。本文重点分析了压接式SiC MOSFET的寄生电阻、散热性能和均流特性,并探讨了压接式器件结构优化设计的方法。本文首先介绍了功率半导体器件封装技术的发展现状,并综述了压接式IGBT和压接式SiC MOSFET的结构特点及研究现状。本文针对现有压接式SiC MOSFET结构中寄生电阻较大这一问题展开深入研究,采用有限元仿真与实际测量相结合的方法分析造成模块寄生电阻过大的主要原因,并讨论一种改进型压接式SiC MOSFET结构。接着探讨一种压接式SiC MOSFET器件母排结构以减小换流回路中的杂散电感。最后基于所改进的整体结构搭建应用压接式SiC MOSFET器件的单相逆变器,来验证压接式SiC MOSFET器件应用的可行性。针对在大功率场合应用的压接式器件,本文以1200V/1000A大功率压接式SiC MOSFET器件为研究目标,首先分析压接式SiC MOSFET器件的寄生电感等效电路。接着通过仿真分析了压接式SiC MOSFET器件寄生电感对均流特性的影响,并尝试改进Kelvin源极走线布局以提高大功率压接式SiC MOSFET内芯片的均流性能。最后对本文的工作进行了总结和展望。