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近年来,随着光纤通信技术的不断发展,铒(Er)掺杂的半导体材料引起了研究者的极大兴趣。这是因为,Er离子在1540nm处有很好的的荧光性质,而这一波段正好是光纤通讯的最低损耗窗口之一。然而,1540nm的辐射跃迁对于Er离子来说,属于其电子壳层4f层组态内的跃迁(简称f-f跃迁),是不符合宇称守恒定则的,即该跃迁在常规情况下是禁戒的。因此,数以万计的研究团队针对这个问题作出了巨大的努力,并提出了相应的解决方案。在众多解决方法中,我们发现,如果将Er离子置于环氧环境中,并且以宽禁带半导体作为宿主的话,