论文部分内容阅读
本文详细介绍了宽带隙半导体SiC的性质、材料制备及器件方面的研究。着重分析了以n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触，Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触，研制出的Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器的优良性能。
测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性，响应范围在200nm～400nm之间，室温无偏压下，响应峰值在320nm，响应半宽82nm。在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止，在260nm-380nm之间有非常平稳的光谱响应；测试分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性，反压150V下，增益可达到3.8×104。在高温533K无偏压下，紫外响应特性仍然保持良好。