乙硅烷作为一种电子气体,主要用于太阳能电池以及电子产品中。目前,太阳能电池及电子产品中所用到的非晶硅的生产中,非晶硅薄膜大部分采用硅烷作为淀积源。但乙硅烷与其相比,具有沉积速度快、沉积温度低的优点,因此乙硅烷的市场前景很大。本实验基于实验室现有条件,选择了卤代乙硅烷还原法来制取乙硅烷气体。乙硅烷是一种极度危险的气体,其含量在0.2%以上时,遇到空气会瞬间燃烧,发生爆炸。由于这种危险性,本实验中需要前期对反应物进行处理,然后探索并确定了一套安全的实验室制取乙硅烷的工艺路线。通过对比试验,确定了该方法的最优反应条件。最佳反应温度为0℃。得出将NaAlH4加入Si2Cl6中、以及加入反应物Si2Cl6为计算量的2倍且加入NaAlH4为计算量时,得到的乙硅烷的纯度更高。实验中得到的合成气主要通过氦离子化气相色谱仪进行检测,使用气质联用仪进行辅助检测。在检测过程中,设计了气相色谱仪在线进样检测系统,并通过检测数据,确定了进样压力,保证了气体检测时检测数据。在实验室,通过活性炭吸附法来除去乙硅烷中杂质气体,发现仅能除去其中的部分CO2、CO等物质。这与理论分析基本一致。