本论文主要以获得具有自陷光功能及优异光电性能的ZnO基光电玻璃及其制备工艺为宗旨,通过调节工艺参数制备优异光电性能的ZnO:Al(AZO)薄膜、ZnO:Ga(GZO)薄膜,重点研究与讨论了工作压强、射频功率占比及溅射功率等参数变化对ZnO基薄膜结构、透光率、电阻率及生长形态的影响,并将工艺放大至磁控溅射中试线,获得了光电性能优良的AZO薄膜、GZO薄膜;之后,采用湿法刻蚀法、微结构模板法制备具有自陷光功能的ZnO基光电玻璃。研究了不同工艺参数提供的能量对AZO薄膜、GZO薄膜结构的影响,通过SEM、XRD、接触角仪、霍尔效应检测仪、色差计以及紫外分光光度计等手段的分析,发现工作压强对AZO薄膜生长结构、薄膜颗粒尺寸、薄膜亲水性有较大影响;同时发现射频功率占比对AZO薄膜生长方式有很大影响,射频功率占比增加,提高了沉积粒子的解离,促进AZO薄膜结晶度和致密性相应变好,导电性能及透光性能均能得到改善;发现溅射功率对GZO薄膜沉积动能影响较大,溅射功率增加,薄膜电阻率下降、光学带隙展宽,且GZO薄膜的导电性能好于AZO薄膜。同时通过磁控溅射中试线获得性能优良且稳定的ZnO基薄膜,采用湿法刻蚀法、微结构模板法实现了ZnO基薄膜表面微结构的调控,获得了具有自陷光功能的ZnO基光电玻璃。