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【摘 要】
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当前,半导体薄膜的研究及应用已经成为热点。锗作为窄带隙材料,由于高载流子迁移率,高红外波段吸收系数等特性,应用在光电探测器和调制器,薄膜晶体管以及太阳能电池中,具有很高的研究价值。目前,多晶锗薄膜面临着制备温度较高和单独成膜困难的问题。脉冲激光沉积作为一种先进的薄膜制备工艺,能够在较低温度下制备高质量的薄膜,因而研究脉冲激光沉积技术制备多晶锗薄膜具有重要意义。本文采用KrF准分子激光器在p型单晶硅
【机 构】
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武汉理工大学
【发表日期】
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2017年01期
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