VO₂是一种热致变色材料，在68oC发生从单斜金红石半导体向四方金红石金属相的转变，同时，其电学、光学及磁学性能发生突变，且这种变化随着温度的改变是可逆的。因此，VO₂薄膜在智能窗、光电开关、激光防护、光存储、非制冷红外探测器等领域具有非常广泛的应用前景。本文对其制备和性能进行了研究。第一章介绍了VO₂的基本特性，晶体结构及相变机理，并详细描述了它的应用，对本文的研究背景和意义进行了概述。第二章介绍了VO₂薄膜的制备方法、表征方法及实验所用仪器，阐述了磁控溅射镀膜原理及实验过程。第三章研究了直流反应磁控溅射和热还原制备VO₂薄膜的工艺。对热处理工艺和溅射气压对薄膜性能的影响进行了分析。结果表明：当氧氩比为1.5:25、溅射时间为1h、溅射功率为100W、溅射工作气压为1.5Pa时制备的薄膜在H₂气氛中500°C保温2h还原退火后其性能最佳。此外还对石英玻璃和单晶硅片上制备的VO₂薄膜性能进行了对比分析。第四章采用磁控反应共溅射制备了掺钨VO₂薄膜，研究了不同的掺钨功率对薄膜性能的影响。结果表明：钨靶功率为10W时制备的掺钨VO₂薄膜相变温度降低到37°C，TCR值最大为-0.106/°C。第五章用直流磁控反应溅射法制备了TiO₂/VO₂双层薄膜，研究了TiO₂缓冲层对其性能的影响。在此基础上进一步制备了TiO₂/W-doped VO₂薄膜，结果表明其相变温度降低到36°C，且可见光透过率较VO₂单层薄膜有所提高。相变前红外透过率为42.7%，而相变后为5.1%。