【摘 要】
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光电催化水分解产氢,将太阳能储存在氢气中,是解决全球化石能源短缺以及温室效应问题的理想途径之一。近年来,科研工作者在p-型半导体及产氢催化剂的研究方面取得了长足的进展,但目前已有的产氧光阳极和产氢光阴极普遍存在光-氧和光-氢转化效率低、稳定性差、以及光阳极和光阴极光电催化性能不匹配、工作介质不兼容等问题,限制了光电催化水分解技术的规模化应用。因此,仍亟需研发高效、稳定、廉价且性能匹配、工作介质兼容
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光电催化水分解产氢,将太阳能储存在氢气中,是解决全球化石能源短缺以及温室效应问题的理想途径之一。近年来,科研工作者在p-型半导体及产氢催化剂的研究方面取得了长足的进展,但目前已有的产氧光阳极和产氢光阴极普遍存在光-氧和光-氢转化效率低、稳定性差、以及光阳极和光阴极光电催化性能不匹配、工作介质不兼容等问题,限制了光电催化水分解技术的规模化应用。因此,仍亟需研发高效、稳定、廉价且性能匹配、工作介质兼容的光阳极和光阴极。以此为背景,本论文采用多种界面工程策略修饰p-型单晶硅光阴极表面,尝试研发能够在强碱性溶液中高效、稳定地催化水还原产氢的光阴极,主要开展了以下三方面的研究工作:(1)采用多巴胺原位自聚-高温碳化的方法将氮掺杂的碳薄膜(CPDA)修饰在微米棱锥结构硅电极表面,通过原子层沉积(ALD)的方法包覆TiO2保护层,进一步利用电化学沉积的方法分别将Ni和NiMo催化剂负载到电极表面,制备了 Si/CPDA/TiO2/Ni和Si/CPDA/TiO2/NiMo光阴极。研究发现CPDA薄膜夹层既起到导电层的作用,有效降低电子的传输电阻,又可起到辅助保护层的作用。优化的Si/CPDA/TiO2/Ni光阴极在1 M KOH溶液中,模拟太阳光照射下的催化起始电位(Eon)和0 VRHE下的光电流密度(J(0V))分别为0.36 VRHE和-15.16mAcm-2;应用偏压下(0.14 VRHE)半电池的最大光-氢转化效率(HC-STHmax)为 1.21%,比 Si/TiO2/Ni 电极的 HC-STHmax(0.13%)提高了一个数量级,并且Si/CPDA/TiO2/Ni光阴极的稳定性得到了明显的改善。(2)为克服平面TiO2保护层的界面电子转移速率缓慢的问题,通过水热合成的方法在平面Si/CPDA/TiO2电极表面生长TiO2纳米柱阵列(TiO2(NR)),然后利用光辅助电沉积的方法将NiCoP催化剂修饰在TiO2纳米柱阵列电极表面,制备了Si/CPDA/TiO2(ALD/NR)/NiCoP光阴极。研究发现TiO2纳米阵列层不仅能够提高界面电子转移速率,而且对硅基光阴极具有辅助保护作用。TiO2纳米阵列表面负载的NiCoP催化剂能够明显降低光生电子的界面转移电阻,大大加速了电子在界面处的转移速率,从而使Eon 正移了 0.22 V,|J(0 V)|提高了 19.63 mA cm-2。优化后 Si/CPDA/TiO2(ALD/NR)/NiCoP 光阴极在强碱性溶液中,光照条件下的Eon、J(0V)和HC-STHmax分别为0.42VRHE、-20.13 mA cm-2 和 1.24%(0.12 VRHE)。(3)为提高保护层的界面电子转移速率,采用SrTiO3替代TiO2作为保护层。通过水热合成的方法将SrTiO3纳米颗粒修饰到微米棱锥结构的硅电极表面,然后利用电化学聚合法在Si/SrTiO3表面包覆了一层有机聚合物半导体CTF-BTh,构建了 Si/SrTiO3/CTF-BTh异质结构光阴极。研究发现SrTiO3层能够比常用的TiO2保护层更为有效地降低硅电极的界面电荷转移电阻,提高光生电子和空穴的分离效率。CTF-BTh层不仅可显著改善硅基光阴极在强碱性溶液中的稳定性,而且可明显提高其界面电荷转移速率,同时对表面电荷复合也具有一定的抑制作用。利用光辅助电化学沉积法将催化剂NiCuVOx负载在 Si/SrTiO3/CTF-BTh 表面,制备了 Si/SrTiO3/CTF-BTh/NiCuVOx复合光阴极。研究表明表面负载的NiCuVOx催化剂大幅提高了复合光阴极的电荷转移效率(达到89%),从而显著提高了其光电催化性能。优化的Si/SrTiO3/CTF-BTh/NiCuVOx光阴极在强碱性溶液中,光照条件下的Eon、J(0V)和HC-STHmax分别为0.43 VRHE、-19.13 mAcm-2和1.07%(0.11 V)。但该电极长时间光电解时电流随电解时间明显衰减,主要是由于负载的NiCuVOx纳米颗粒从电极表面脱落所致。
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