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有机电双稳器件因成本低廉,制作工作简单,可柔性以及较大的存储密度受到了密切的关注。在有机电双稳器件研究中,纳米颗粒-聚合物符合薄膜电双稳器件主要有两种高低态转变导电机制:陷阱电荷限制限流以及F-N隧穿,这两种导电机制都利用到了纳米颗粒的表面缺陷。然而这两种转化机制究竟在何种情况下占主导,却一直没有明确的结论,尤其在相同材料体系中,会出现两种不同的机理解释。基于纳米颗粒表面的缺陷对电荷的俘获对聚合物电双稳器件的电导高低态转变起到决定作用,因此研究纳米颗粒表面缺陷态与转化机制之间的关系越发显得重要。在本工作中,我们制备了具有不同缺陷态的二氧化钛,分别与PEO绝缘聚合物结合制备了电双稳器件,从而研究了在双层电双稳器件中,不同缺陷对于其高低态导电机制的影响作用,具体研究内容如下:(1)利用溶胶凝胶法制备了无定形二氧化钛,利用水热法制备了锐钛矿型二氧化钛,制备成薄膜后。并对其进行了光学电学与形貌的表征,测试显示两类二氧化钛薄膜的导电性性能相差不大,而形貌测试揭示出锐钛矿二氧化钛的表面形貌相比无定形二氧化钛粗糙,水的表面接触角测试显示出锐钛矿的表面基团中有大量的氢氧根。(2)将两类二氧化钛薄膜与PEO聚合物制备成双层结构的电双稳器件,器件结构为ITO/TiO2/PEO/Ag。并对其进行了电压电流扫描来研究其电双稳特性。实验结果发现,随着改变PEO浓度,器件的开关性能会随之改变,当PEO为25mg/ml时,两种器件都能获得最大的开关比。对两种器件进行对比发现无定形二氧化钛电双稳器件的开关比明显小于锐钛矿二氧化钛电双稳器件的开关比,且二者电流从关态上升到开态时的线性拟合展示明显不同的转变机制。(3)通过对Ⅳ曲线进行理论拟合,发现这两类电双稳器件的导电机制不同,无定形为TCLC而锐钛矿则为F-N隧穿。结合第一部分的研究,一个合理的推测是二氧化钛表面基团导致了两类器件的导电机制的不同,因此,通过高温加热将锐钛矿二氧化钛的表面羟基大量降低,将含有大量表面羟基的锐钛矿薄膜与含有少量羟基的锐钛矿薄膜制备成电双稳器件,并进行曲线拟合,含有大量表面羟基的锐钛矿电双稳器件的高低态导电机制为F-N隧穿,而含有少量表面羟基的锐钛矿电双稳器件的拟合机制则为TCLC。以上实验结果展示出TiO2表面缺陷的不同可以显著影响导电机制,当表面缺陷是大量的羟基,器件的电双稳特性为FN隧穿型,反之,为TCLC型。