本文使用水杨酸对有序TiO₂纳米管阵列电极进行修饰，采用电化学沉积法制备了ZnIn₂S₄膜电极，两种方法均达到了提高可见光利用率的目的。本文以浸渍法制备了水杨酸修饰的有序TiO₂纳米管阵列电极。采用阳极氧化法制备有序TiO₂纳米管阵列电极，然后再浸渍于水杨酸溶液中得到水杨酸修饰的TiO₂纳米管阵列电极。水杨酸修饰TiO₂纳米管电极为有序的阵列结构，纳米孔呈开口状，平均管径为80 nm，平均管长为550 nm。水杨酸修饰会导致电极的吸收边带和光激发边带均有明显的红移并且使电极表面具有更多的羟基基团。以水杨酸修饰TiO₂纳米管电极为工作电极，进行2 h紫外光光电催化和3 h可见光光电催化降解对硝基酚时，降解率均达到100％，与TiO₂纳米管电极相比（63％和79％），水杨酸修饰提高了TiO₂纳米管电极的紫外和可见光电催化活性。本文采用电化学沉积法，制备出的具有枝叶状的结构的ZnIn₂S₄膜电极。ZnIn₂S₄膜电极的吸收均延伸至可见光区域，且禁带宽度较小，具有较高的可见光响应。不同电化学沉积时间对ZnIn₂S₄膜电极表面性质和光电化学性能有很大影响。以电化学沉积20min的ZnIn₂S₄膜电极的可见和全光响应最佳、光转化率最高，光转化效率分别为1．35％和2．03％。