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基于柱状结构的掺铊碘化铯(CsI:Tl)闪烁体的X射线探测器已被广泛用于医学和工业无损检测设备中。但由于CsI:Tl晶柱的粘连,易引起光学串扰,造成空间分辨率受限,无法满足对高精密结构的探测需求。解决该问题的方法有二:一是降低CsI:Tl闪烁体的厚度,但同时降低了探测效率;二是将CsI:Tl填充到具有不透明壁的网格以避免光的串扰。为获取上述网格结构,鉴于光助电化学刻蚀技术的低成本的特点与对高深宽比结构制作上的优势,我们对其进行了进一步研究。在确定了12?m像素间距的前提下,从实验上分析了硅基电阻率对刻蚀形貌的影响,确定了最佳电阻率为25?35??cm。进一步分析了刻蚀电压和表面活性剂(C2H5OH)浓度对刻蚀形貌的影响。最终在5英寸、N型、晶向(100)的硅片上制作了周期为12?m、孔径8?m、深度150?m的深孔阵列结构。此外,还利用光助电化学刻蚀技术制作了用于X射线光栅微分相衬成像用的源光栅与分析光栅结构,为进一步填充奠定了基础。在深孔阵列侧壁表面形成一层氧化层使每个阵列都作为光波导是这种转换屏制作的固有技术,为获得致密氧化层,本文采用了干氧氧化技术。向深孔内填充CsI:Tl是制作的关键步骤,我们采用真空熔融CsI:Tl自填充技术。为避免填充结束后CsI:Tl残留在硅基表面影响亮度均匀性及表面平整度,本文提出并实现了一种旋转结构,它通过旋转填充表面,能使多余的CsI:Tl流出。在封装表面以隔离空气后,可直接与光锥或光纤面板耦合。将所制作的转换屏耦合到像素12?m的CCD上,根据IEC 62220-1中所需的辐射质量数RQA3,使用刀口法获得了成像系统调制传递函数(MTF),同时获得了其噪声功率谱(NPS)。在此基础上,计算得出该成像系统的量子探测效率(DQE),以此来表征所制作的转换屏性能。接着,与基于课题组使用的周期为3?m转换屏的成像系统做了比较。最后,对影响X射线探测器性能的因素进行了分析并提出了改进方法。