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单层WS_2具有超薄的厚度、高载流子迁移率、低电阻率、高开关比等优点,在光电子器件和谷极化器件等方面具有重要的应用价值。大面积高质量的单层薄膜是开发WS_2基光电器件的重要前提。本论文针对高质量单层WS_2薄膜制备及其光学性质进行研究,取得如下结果:(1)利用低熔点钨源,以化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上获得了高发光质量的单层2H-WS_2三角片,其629.7 nm处发光峰半峰宽为18 nm(48 me V),且通过调节反应物钨源与硫源的比例可分别获得整片均匀发光或仅边缘发光的WS_2薄膜。(2