硫化钨纳米结构制备及光学性质研究

被引量 : 4次 | 上传用户:shepuqi4709
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
单层WS_2具有超薄的厚度、高载流子迁移率、低电阻率、高开关比等优点,在光电子器件和谷极化器件等方面具有重要的应用价值。大面积高质量的单层薄膜是开发WS_2基光电器件的重要前提。本论文针对高质量单层WS_2薄膜制备及其光学性质进行研究,取得如下结果:(1)利用低熔点钨源,以化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上获得了高发光质量的单层2H-WS_2三角片,其629.7 nm处发光峰半峰宽为18 nm(48 me V),且通过调节反应物钨源与硫源的比例可分别获得整片均匀发光或仅边缘发光的WS_2薄膜。(2
其他文献
一定数目的俘获原子组成的系综,在高极化极限下,原子内部能级跃迁与光场的耦合导致原子的集体激发,原子之间是全同的。这也是量子计算的一个模型。对于腔场衰减,甚至考虑原子衰减
硼掺杂金刚石(Boron-doped Diamond,简称:BDD)具有较低的电阻率、较强的抗辐射能力、稳定的热性能及化学性能等特点,作为一种宽禁带半导体材料(禁带宽度为5.5eV)可用作特殊衬底材料。氧化锌(Zinc Oxide,简称:ZnO)的激子束缚能达到60meV,在室温下禁带宽度为3.37eV,是一种优异的直接带隙宽禁带半导体材料。由于其优良的性能及丰富的储量,ZnO在半导体器件的制备和
只有一层原子厚的二维石墨烯具有很多优异的物理性质,它是理论研究与实验研究的理想材料,受到了人们的广泛关注。在电子学方面它极有可能替代传统的硅材料,因此石墨烯的量子
目前自由空间光通信系统采用的光源多为1.55μm半导体激光器,经掺铒光纤放大器后发射功率最高5W左右,限制了空间传输距离,激光发射角不可调,依靠机械式跟瞄系统。激光相控阵