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双源真空共蒸发在玻璃衬底上制备纯的和稀土元素(Y、Gd)掺杂的CdTe薄膜,在氮气保护下对薄膜进行不同条件热处理,研究不同的热处理条件和掺杂源蒸发电流对薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜及能谱分析、光电子能谱仪、双光束紫外-可见分光光度计、台式繁用表等对薄膜的晶相结构、表面形貌及粗糙度、化学成分、光、电性能等进行测试表征。实验给出:将Cd、Te粉末按最佳原子比(1:0.6)混合沉积的薄膜,经400℃热处理20 min后,可获得沿[111]晶向择优生长的立方