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随着成膜工艺的日臻成熟，类金刚石(DLC)及a-SiC：H薄膜将得到更加广泛的应用，为了使其应用于航天、航空及核反应堆中的某些关键器件，对这些材料的辐照稳定性研究相当重要，这是本文研究的根本出发点，也是国际上研究的热点之一。本文分别采用射频(13.56MHz)等离子体CVD及射频反应溅射方法制得了DLC及a-SiC：H薄膜。文中主要选择Y射线、紫外光及中子作为辐照源有两方面的原因：一方面，在外层空间，Y射线及紫外光辐射十分严重，而在核辐射环境下Y射线及中子辐射也不可忽视；另一方面，Y射线辐照这两种薄膜完全是一项开创性的工作，同时国内外对紫外光子、中子与这两种薄膜作用的研究也很少。 由于射频等离子体CVD方法具有基底温度低、成膜面积大、结合力强等特点，因此本文采用这一方法淀积这两种薄膜。对辐照前后的样品采用喇曼(Raman)光谱、红外(m)光谱及紫外—可见—近红外(UV—VIS—NIR)光谱等仪器进行分析，根据光子、中子、离子与物质作用的物理机制，对所得结果及其现象进行了解释。由于薄膜中氢的含量与结合状态直接决定其结构与特性，本文利用UV—VIS—NIR光谱及Tauc方法计算得到DLC薄膜的光学带隙，并根据光学带隙数据及完全抑制网络(FCN)模型获得了样品氢含量为10～25％这一结果，从而提出了一种简单确定DLC薄膜中氢含量的新方法。根据UV—VIS—NIR光谱中的干涉条纹，计算出了Y射线辐照下a-SiC：H薄膜的折射率及其变化趋势，并由此得出Y射线辐照导致其氢含量变小及红外透过率变小的结论。有趣的是：还首次用Raman光谱观察到了DLC薄膜中Sp~3C-H键随辐照剂量改变的变化规律，扩大了其在结构分析领域中的应用。 通过本文的研究发现，Y射线、中子、N~+及紫外光子对薄膜的作用效果明显不同。从对Sp~3C-H键破坏能力方面考虑，中子、N~+及紫外光子最强，而Y射线最弱。因此，文中Y射线与薄膜作用时，与其它粒子相比确实出现了一些特殊性。紫外光子对SP~3C-H键的破坏能力如此强，确实出乎我们的意料。通过本文的研究，基本弄清了在辐射环境下这两种薄膜结构与特性的变化规律，为这两种薄膜在该环境中的应用打下了良好的基础。据此我们也可以采取针对性的措施，使之具有更好的辐照稳定性，从而更好地为航天、航空及核工业等高科技部门服务。