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随着薄膜制备工艺的迅速发展,各种材料的薄膜化已成为一种普遍趋势。现今,薄膜材料在材料领域中占据着越来越重要的地位。Si_(1-x)Ge_x合金薄膜异质结材料是继Si和GaAs之后的一种重要的半导体材料。在微电子器件和电路应用方面, Si_(1-x)Ge_x合金薄膜材料不仅在频率和速度上可以超越Si,而且在制作成本上大大低于GaAs,具有较高的性价比,因此上,Si/Ge材料在光电子领域中有着巨大的应用前景。在微电子领域,Si、Ge占有很重要的位置,但由于晶体Si、Ge都是间接带隙,从某种程度