随着集成电路进入超深亚微米阶段,半导体制造工艺中广泛采用了一些新技术——亚波长光刻技术、铜电镀技术、化学机械抛光技术。这些新技术在带来好处的同时,也产生了一些新缺陷,这些缺陷对芯片的电学性能及良率产生了一定的影响,特别是在超深亚微米阶段,以往不予考虑的缺陷现在却对芯片造成致命的威胁,甚至使芯片失效。本文从化学机械抛光和测试芯片两个方面对可制造性和成品率问题展开了分析和研究。首先介绍了可制造性设计和集成电路设计流程;其次分析了目前影响超深亚微米级集成电路成品率问题的几种误差因素,如光学临近效应、化学机械抛光、随机误差、系统误差等,着重介绍了化学机械抛光对超深亚微米级集成电路成品率和性能的影响。再从测试芯片设计方面对可制造性问题进行了研究,该测试芯片可同时测量电阻与电容,大大节约了测试芯片面积,同时也使得测量精确度有了提高;最后,通过对化学机械抛光和测试芯片研究,本文提出了今后需要做的工作以及对本次工作做的了总结。