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RF MEMS开关因其具有良好的电学特性而成为新一代通信系统中关键的基础器件，但在商业化的发展进程中，介质电荷积累造成的开关失效问题阻碍了其工业大规模应用的步伐。尽管国内外众多研究机构对RFMEMS开关介质的电荷积累问题进行了研究，但仍然没有彻底解决该问题。因此，本文在对静电驱动式MEMS器件的可靠性问题特别是介质电荷转移机理进一步理解基础之上，提出通过离子注入技术对开关介质进行掺杂研究。主要研究内容包括：1、以RFMEMS开关的介质层中积累电荷的生成、注入、陷定和弛豫机理作为理论攻关，提出