锆钛酸铅(PZT)压电薄膜是由铅(Pb)、锆(Zr)、钛(Ti)三种元素组成具有ABO3型钙钛矿结构的化合物，具有优良的压电、铁电、介电和热释电等性能，被广泛应用于微电子学、光电子学、微电子机械系统等领域，它是一种重要的功能性薄膜材料。本文针对微能量收集器对PZT薄膜的要求，研究溶胶凝胶法制备PZT薄膜的各个环节，解决了PZT薄膜的龟裂问题，制备出1～3.5微米厚的无龟裂的PZT薄膜，微结构分析表明PZT薄膜是以(110)晶向为主的钙钛矿结构。本文的主要研究工作包括下面几个方面：　　 ①研究溶胶-凝胶法制备PZT压电薄膜的工艺流程，主要包括：PZT前驱体溶胶的配制、涂胶工艺、热处理工艺、薄膜的极化等，并对工艺参数进行优化，以得到高质量的PZT薄膜；　　 ②研究了PZT薄膜制备过程中的表征方法，利用红外谱确定PZT前驱体溶液中分子基团，利用这些信息为改善溶胶配制条件提供参考；利用X射线衍射确定PZT薄膜的晶向；利用扫描电镜观察PZT薄膜的形貌；利用台阶仪测试PZT薄膜的厚度；　　 ⑨在PZT薄膜图形化的方面，对湿法腐蚀方法进行了较详细的研究，讨论了三种腐蚀液图形化的效果，结果显示第一种腐蚀液的效果最好，腐蚀界面整齐，对PZT。薄膜的腐蚀速率约为4.3nm/sec。　　 ④研究PZT薄膜压电性能测试微结构制作方法和工艺流程，为制作基于PZT薄膜的MEMS器件打下较好的基础。　　 本文虽然在PZT薄膜的溶胶凝胶法的制备、表征、图形化方面做了一些工作，但还存在一些不足，对我们的工作加以总结，希望为今后的工作提供有益的借鉴。