杂质对铜氧化物高温超导材料物理性质的影响的研究是高温超导机理研究的热点之一。本文从t-J-U模型出发．利用Gutzwiller平均场近似和Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论对铜氧化物高温超导材料中掺入的单个和多个非磁性杂质对系统电子局域态密度及相关物理性质的影响进行了较为系统的研究。　　 我们在第二章里简单介绍了可以有效描述Cu02平面内基本物理过程的t-J-U模型，并介绍了可以较好地处理电子强关联体系问题的Gutzwiller近似理论以及研究非均匀系统的BdG方程。　　 应用Gutzwiller近似理论和BdG方程我们在第三章里讨论了单个非磁性杂质对铜氧化物高温超导材料电子局域态密度的影响：从t-J-U模型出发讨论了在不同掺杂浓度时单个非磁性杂质对系统电子局域态密度的影响。结果我们发现，随着掺杂浓度和非磁性杂质势的不断增大，在非磁性杂质附近，超导相干峰受到的抑制越来越强，并且在零能点逐渐出现零能峰，零能峰的强度也随着掺杂浓度的增大而增大。在远离杂质点处，电子局域态密度和电子分布等物理量依然保持均匀系统时的结果。　　 在第四章我们应用Gutzwiller近似理论和BdG方程讨论了多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导材料电子局域态密度及相关物理性质的影响。我们首先讨论了三个以及四个杂质的情况。我们发现，杂质数目的增加导致杂质影响的范围扩大。而在五个杂质对称分布的情况下，I类杂质分布密集，发现在杂质周围超导相干峰受到非常强烈的抑制，且零能峰的强度异常突出。II类杂质分布分散，互相之间的几乎没有影响，因此只对每个杂质周围的电子局域态密度有影响，与单个非磁性杂质的情况类似。