【摘 要】
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2014年引起关注的新型二维晶体单层黑磷(SLBP),由于SLBP在电子迁移率和开关比方面均显示出优异的特性,所以被认为是继石墨烯和单层二硫化钼(SLMoS2 )之后,在薄膜电子学、光学
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2014年引起关注的新型二维晶体单层黑磷(SLBP),由于SLBP在电子迁移率和开关比方面均显示出优异的特性,所以被认为是继石墨烯和单层二硫化钼(SLMoS2 )之后,在薄膜电子学、光学器件以及对各向异性敏感的新型电子元件等方面最具应用前景的一种后石墨烯材料.磷烯纳米带作为一种准一维纳米材料,决定电子结构的主要因素是几何结构,所以对磷烯纳米带几何结构的研究具有重要的意义。根据边界结构不同,磷烯纳米带主要分为边界呈双边锯齿状的锯齿型磷烯纳米带(zigzag-zigzag PNRs),单边锯齿型磷烯纳米带(zigzag-beard PNRs),双胡须型磷烯纳米带(beard-beard PNRs)和边界呈扶手椅状的扶手椅型磷烯纳米带(armchair PNRs)。采用紧束缚近似模型理论的方法研究了应力对单层磷烯晶体及其不同边界纳米带的能带结构和带隙随外加应力的方向和大小的变化。我们一直在探索调控磷烯能带的方法,发现应力对于调控磷烯带隙是非常有效的一个手段。我们通过在低能量磷烯紧束缚哈密顿量引入应力,在应变在范围内施加拉缩双轴面内应变和垂直应变。磷烯及其纳米带电子结构能带可以通过压缩面内应变和拉伸进行有效调控。同时,我们也对应力对磷烯纳米带中边缘态的影响进行了研究.
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