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近年来,忆阻器因其具有的电阻记忆存储功能、阈值特征、低功耗、结构简单等一系列优点吸引了全世界众多科研人员的关注。典型的忆阻器结构是一种三明治结构:上下两层是导电金属层,充当与外界相连的两个电极。中间的是绝缘层,一般是过渡金属氧化物材料。典型的忆阻器在工作的时候有三个过程:电形成过程(FORMING),置位过程(SET),复位过程(RESET)。所谓FORMING指的是:一个忆阻器件要想实现高低阻态切换的功能,必须在这之前对其进行一次激发阻变材料的操作,这个激发操作之后,忆阻器件才具有正常的忆阻特性;