对于p-i-n型微晶硅薄膜太阳能电池，在保证整体性能的前提下，提升各层的沉积速度特别是吸收层尤为重要。本文采用射频-等离子体增强化学气相沉积工艺（RF-PECVD）针对SiF4/H2/Ar混合气体结合最新的电压波形调制（Tailored Voltage Waveform-TVW）技术系统研究了工艺参数对微晶硅薄膜沉积速率、晶化率以及生长机制的影响，并制备了性能优异的微晶硅薄膜太阳能电池。　　实验结果表明氢气（H2）对于薄膜的沉积起到了至关重要的作用，它可与薄膜生长所需活性基团生成反应的衍生物氟（F）结合形成氟化氢（HF），从而保证薄膜沉积的持续进行。H2消耗水平与薄膜沉积速度呈正相关，而这个消耗水平会受到沉积功率的限制。薄膜沉积速率也会随Ar流量的增加而上升。反应气体温度的上升会阻止反应腔室内纳米颗粒的形成，从而导致薄膜沉积速率的下降。薄膜沉积速率会随反应气体密度n和电极距离d的乘积n*d的变化而变化，并会在特定n*d值时达到一个最优值。　　采用TVW技术在沉积腔室内引入“电学不对称效应”（Electrical Asymmetry Effect-EAE），实现对到达衬底的离子流量和离子轰击能量的分离控制。在离子流量基本不变的情况下实现对等离子体电势Vpl，即最大离子轰击能量的连续调控。实验结果表明，微晶硅薄膜的生长机制与Vpl关系密切。当H+和Si+分别以高于～30eV和～70eV的能量轰击薄膜表面时会对薄膜的生长机制产生明显影响，生长过程中的两次相性转化都会因此被严重延迟。在较低Vpl条件下，薄膜生长均匀致密，而在较高Vpl条件下，微晶粒成核速率高于晶粒的生长速率，导致薄膜形成一种“花椰菜”状的生长方式。　　吸收层在低Vpl条件下制备的电池的性能要优于同等条件下利用高 Vpl制备的电池，其性能差异主要来源于开路电压和填充因子的提升。结果表明，通过利用TVW技术可以有效的控制微晶硅薄膜及其太阳能电池器件的整体性能。