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本文采用硅基耐高温器件设计了一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路及其保护电路。其中主驱动电路的作用是将输入的控制信号幅值抬升至SiC MOSFET驱动电压的水平。并且采用变压器隔离的方式将控制电路与功率电路隔离,防止功率电路在高速开关过程中,电流和电压的高变化率对控制电路产生干扰。通过将传统电平移位电路中的集电极电阻用PNP型BJT取代。该结构解决了传统电平移位电路中BJT开关速度与集电极电阻发热之间的矛盾,大大减小输出驱动电压的上升时间和下降时间。从而可为SiC MOSFET在高温环境中工作提供更高频率的驱动电压,使SiC MOSFET高速开关的性能得以挖掘。设计的驱动保护电路中包括欠压检测电路,过流检测电路以及故障信号执行电路。在欠压检测电路通过稳压管来设置参考电压值,检测驱动电路的电源电压是否小于该参考电压,如果是则产生欠压信号,并将欠压信号传送至保护执行电路。欠压检测电路结构简单,采用的元器件数量较少,不光减少了电路的制造成本,而且提高了欠压检测功能的可靠性,尤其是较高温度的特殊使用环境中简单的电路结构可有效减少电路故障发生的可能性。为了防止SiC MOSFET过流损坏,设计了一种新型的过流检测电路。依据SiC MOSFET发生过流时导通压降随电流升高的原理在过流检测电路中采用稳压管设置参考电压,通过将检测到的漏极电压与参考电压值相比较,来判断SiC MOSFET是否发生过流故障。该过流检测电路同样具有电路结构简单的特点,仅使用单个PNP型双极结型晶体管来实现过流检测功能,并且在电路中设置了延时电路用于对过流故障的判断,降低了检测电路误动作的几率。使得电路的抗干扰性能得到提高。同时设计了保护执行电路,该电路的主要功能是处理检测到的故障信号,包括欠压故障和过流故障。该保护执行电路设置有初始化电路模块、锁存过流故障模块以及VGS防跳变电路。其中初始化电路的作用是在驱动电路上电瞬间将欠压故障信号和过流故障信号清零。过流故障锁存电路的作用是将检测到的过流故障信号锁存,只要判断为过流故障就将SiC MOSFET关断,等待检修重启。VGS防跳变电路的作用是在发生故障时SiC MOSFET两步关断后抑制栅源驱动电压跳变。其中在实现这些功能的基础上,使用的元器件数量相较同类型电路减少。综上整个驱动保护电路在实现基本的保护功能的基础上驱动保护电路结构大大简化,成本降低,电路可靠性提高。最后对设计的驱动电路进行制板实测。与同类型驱动电路的输出性能相比,该驱动电路输出电压的上升时间和下降时间均减小。随着温度的升高,驱动电压的上升时间略微减小,下降时间增大,但是增加量很小。温度对电路输出性能的影响属于可接受的范围。