应用数值解法,对包层为单轴晶体材料且其光轴平行于光纤轴的光纤功率限制因子进行了理论模拟,引入了各向异性材料主轴折射率比参数k_cl,推出了理想正规模的特征方程,研究了施加应变场对光纤功率限制因子的影响。应用耦合模理论推出该类光纤Bragg光栅反射率的表达式,并从模式特性出发解释了k_cl对该类光纤Bragg光栅反射率的影响。计算结果表明:施加应变场对该类光纤中芯层和包层间的功率分布显著,在施加应变场逐渐增大时,光能量逐渐集中到芯层中。对于HE₁₁模,各向同性材料包层的光纤中的能量比单轴晶体材料包层光纤中的能量更容易集中在纤芯中传输,而且集中程度与k_cl取值有关;各向异性材料包层比各向同性材料包层的光纤Bragg光栅的反射率要高;此类光纤Bragg光栅的反射率主要是由光纤纤芯和包层中能量分布决定的。本文的研究成果为设计新型压力传感器和光纤Bragg光栅在传感、测量等领域获得新的应用提供了理论依据。