氧化锌(ZnO)作为一种直接宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度3.37 eV,激子束缚能高达60meV,在室温下即可获得高效的紫外激子发光和激光,近年来引起了国内和国际上广泛的研究热潮。但是ZnO作为新一代的紫外光电材料仍有许多问题制约了它在多个领域上的应用,主要有以下几个问题:(1)高质量的ZnO单晶薄膜是ZnO材料在光电领域发展的前提和基础,而目前大家获得的ZnO本征薄膜结晶质量不高,存在着大量的本征缺陷,限制了ZnO在发光器件方面的发展。(2)获得稳定、高效且重复率高的p型ZnO薄膜一直是ZnO研究领域的重点和难点。目前所制备的p型ZnO薄膜空穴载流子浓度和迁移率都不高,且电学性能不稳定,制约了ZnO在光电领域的发展。(3)目前,国内外对p型ZnO的掺杂机制,受主来源以及其他的物理问题都存在着争议,缺乏理论上的指导,也成为了阻碍ZnO在光电子学领域继续发展的主要瓶颈。本论文针对以上几个亟待解决问题进行了研究,取得了如下主要结果:(1)利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备,通过改变金属源温度来改变ZnO薄膜中的Zn/O的化学计量比,当Zn,O比例接近1:1时,得到了最好的本征ZnO薄膜,并发现ZnO样品光致发光谱中位于3.362eV的中性施主束缚激子的发光峰不随Zn、O比例的变化而移动,因此,我们将其施主来源归结为与氢相关的施主。(2)利用(P-MBE)设备,利用高纯的金属锂(Li)和激活的NO为掺杂剂,制备出了Li、N共掺杂的p型ZnO薄膜,通过优化生长参数,较大的提高了p型ZnO薄膜的稳定性和重复率,为制备ZnO同质pn结奠定了基础。(3)通过对Li、N共掺杂的ZnO薄膜的结构、电学、光学,磁学性质的深入研究,阐明了Li、N共掺杂p型ZnO薄膜的形成机制,并给出了Li、N共掺ZnO薄膜的受主以及磁性来源。