AIN陶瓷具有高热导率、低介电常数、高电阻率及与硅相近的热膨胀系数等优点，被广泛地用作大功率微波电子器件的基板材料及封装材料。目前，随着微波技术向着更高频率过渡，要求基板的厚度变得更薄，这就对材料的强度提出了更高的要求。本文围绕高强度AlN基复相陶瓷基板的制备，通过在AlN中加入Al2O3，原位反应烧结制备了AlON-AlN复相陶瓷，研究了Al2O3加入量、烧结温度、保温时间、烧结助剂、烧结方式(无压、热压)等对复相陶瓷烧结性能、相组成、显微结构和性能的影响。主要研究结果如下：　　 研究了在1600～1850℃烧结的试样的相组成。在1600℃下烧结的试样中没有发现γ-AlON晶相的存在，在1650～1800℃的温度范围内可观察到γ-AlON，当温度升高至1850℃时，AlON与ALN发生反应生成新相27R，由此可以确定AlON-AlN复相陶瓷的制备温度为1650～1800℃。　　 烧结温度对复相陶瓷烧结性能影响的研究表明，Al2O3加入量为30wt％的试样，无压烧结时随着烧结温度从1650℃升高至1700℃，试样气孔率逐渐减小，在1700～1800℃范围内，晶粒尺寸增大，但气孔率无明显变化，约为0.1％。当温度升高至1850℃时，气孔率又有所增加。热压烧结的试样在1650～1800℃范围内气孔率无显著变化，气孔率均比较低，约为0.05％，在1850℃时气孔率同样有所升高。与无压烧结相比，在各温度下热压烧结试样均具有更低的气孔率。　　 Al2O3和烧结助剂Y2O3加入量对复相陶瓷烧结性能影响的研究结果表明，1750℃下，随着Al2O3加入量从10wt％增加到30wt％，试样气孔率逐渐减小，加入量进一步增加至50wt％于，试样气孔率无明显变化，约为0.24％。随着Y2O3加入量从1wt％增加到5wt％，试样显气孔率先减小后增大，加入量为2wt％的试样气孔率最小，约为0.13％，说明一定量Y2O3和.Al2O3能有效地提高复相陶瓷的致密度。　　 保温时间对复相陶瓷烧结性能影响的研究结果表明，随着保温时间从1h延长至8h，晶粒尺寸明显增大，保温时间为2h时试样气孔率最低，约为0.24％。　　 烧结温度对复相陶瓷抗弯强度和热导率影响的研究结果表明，对于Al2O3加入量为30wt％的试样，在1650～1800℃范围内无压烧结时，1700℃烧结的试样抗弯强度与热导率值最大，分别为378MPa和38W/m·K。热压烧结试样的抗弯强度随着烧结温度的升高逐渐降低，1650℃时抗弯强度最大，为457MPa。此外，热压烧结试样的抗弯强度整体高于无压烧结的试样。　　 Al2O3加入量对复相陶瓷抗弯强度和热导率影响的研究结果表明，对1750℃无压烧结的试样，随着Al2O3加入量从10wt％增加到50wt％，在加入量为30wt％时抗弯强度达最大值355MPa，热导率则随着Al2O3加入量的增加逐渐减小，Al2O3加入量为10wt％时热导率最大，为50 W/m·K。　　 保温时间对抗弯强度和热导率影响的研究结果表明，对Al2O3加入量为30wt％、1750℃无压烧结的试样，在1～8h保温时间内，保温2h时具有最大抗弯强度355MPa，热导率随着保温时间的延长逐渐增大，保温8h得到最大值59W/m·K。对于热压烧结试样，在保温2h时抗弯强度达到最大值429MPa，延长保温时间对热导率影响不明显，各保温时间下热导率约为65 W/m·K，整体高于无压烧结试样。　　 Y2O3加入量对复相陶瓷抗弯强度和热导率影响的研究结果表明，随着Y2O3加入量从1wt％增加至5wt％，试样抗弯强度在加入量为4wt％时达最大值，约为355MPa；热导率在加入量为3wt％时达最大值，为41 W/m·K。　　 Al2O3加入量对复相陶瓷介电性能的影响研究结果表明，对1750℃无压烧结的试样，随着.Al2O3加入量从10wt％增加到50wt％，介电常数由8.44增大至9.14，介电损耗则由0.68×10-3逐渐减小至-0.115×10-3，说明AlON晶相的存在有利于提高复相陶瓷的介电性能。