太阳能作为人类能源史上“取之不尽用之不竭”的可再生能源,目前已经使人类充分意识到了它的重要性。对于获取太阳能的关键包括对太阳能量的捕获,将捕获的能量进一步转化为电能或热能,并将能量进行储存。目前人类已经积极致力于太阳能电池的研究和发展。本课题通过分析目前薄膜太阳能电池材料的发展现状及其原理,对薄膜太阳能电池基本结构中的光吸收层和缓冲层进行了重点的研究。通过一步法电化学沉积制备光吸收层Cu In Se2薄膜,硒化退火处理后,通过化学浴沉积制备缓冲层Zn S,制备出了ITO/Cu In Se2/Zn S薄膜太阳能电池器件,对其进行测试,并讨论了制备过程中各因素对制备的薄膜的质量和电池效率的影响。一步法电化学沉积制备Cu In Se2薄膜的主要影响因素包括沉积电压、p H值、前体溶液中不同的Cu/In浓度比以及硒化退火温度。对于不同条件下制备的Cu In Se2薄膜,通过UV-vis、XRD、SEM、Mott-Schottky表征手段说明各因素对制备薄膜质量的影响;通过光电化学测试进一步说明各因素对制备的薄膜太阳能电池器件各参数的影响。通过正交实验来确定一步法电化学沉积制备薄膜的最优实验方案:沉积电压v=-1 V,p H=1.5,前体溶液浓度比为C u:In=1:2,硒化退火温度为300℃,并且以硫代乙酰胺作为硫源通过化学浴沉积Zn S之后制备得到。在最后得到的最优实验方案条件下,又进行了验证实验,最后结果表明在该条件下得到的电池器件性能最好。得到的半电池的基本参数为J=7.674 m A/cm2,voc=0.502 V,FF=0.69,η=2.67%。因此确定此方案为最优方案。