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SnO2是一种宽带隙(3.6eV)的N型半导体,具有优异的光电特性、催化和气敏特性,因而在透明导电薄膜、传感器、锂电池、太阳能电池、催化剂以及光学技术等方面具有广泛的用途,尤其是在气敏传感器领域,由于其具有寿命长、成本低等特点,目前商品化气敏元件大部分由SnO2制成。然而SnO2作为气敏材料在灵敏度和选择性方面并不理想,材料的纳米化和掺杂化是提高气敏特性的两种有效手段。本文采用静电纺丝法制备了SnO2纳米纤维,并对其进行了不同金属元素的掺杂,并采用SEM、XRD、Raman光谱仪、荧光光谱仪