在6H-SiC衬底上异质外延生长SiCGe薄膜,通过调节材料的禁带宽度从而实现材料对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用,具有很高的实用价值。然而在材料的生长过程中,还存在很多问题。通过对材料的测试分析来优化实验工艺条件,改善薄膜的质量就显得尤为重要。本文介绍采用热壁化学气相沉积（HWCVD）法在6H-SiC衬底上异质外延生长3C-SiC缓冲层和SiCGe合金薄膜的工艺及材料的特性。主要研究内容如下:1、研究了两个重要因素——源气体流量和生长温度对3C-SiC质量的影响。通过优化工艺条件,在热壁CVD系统中生长出了品质良好的3C-SiC薄膜,并采用SEM、AFM、TEM、XPS等测试方法对样品进行了表征。通过分析得出生长温度为1250℃、反应源气体流量为H₂:SiH₄:C₃H₈=2000:10:4 SCCM,生长压力为480Pa的情况下3C-SiC薄膜生长模式表现为层状生长模式,外延层与衬底的界面清晰,晶体内部无明显的晶格缺陷,样品表面光滑平整,晶型唯一。2、研究了源气体流量比例和生长温度对SiCGe薄膜的影响,优化了SiCGe薄膜的生长工艺。在生长温度为1250℃、反应源气体流量为H₂:SiH₄:C₃H₈:GeH₄=1000:10:4:2 SCCM的情况下得到了二维层状生长的高质量的SiCGe薄膜。3、对SiCGe薄膜进行了光透过测试,计算了三元合金的禁带宽度。