随着显示技术的发展,透明电子电路应具备一定的处理基础信息的能力。但目前对透明氧化物半导体的研究和应用主要基于n型氧化物半导体电路,为了实现低功耗、高噪声容限、功能多样的CMOS透明电路,研制高性能的p型氧化物半导体材料迫在眉睫。SnO由于优异的电学性能,且安全无毒、自然储量丰富,被认为是最具发展潜力的p型氧化物半导体材料之一。由于SnO的亚稳定性,制备得到的薄膜往往伴有金属Sn或SnO2,严重影响薄膜的性能。本论文中,SnOx薄膜表示主要成分为SnO同时伴有金属Sn或SnO2的薄膜。系统研究了SnOx薄膜,主要的研究内容包括下面几个方面:首先,本论文对磁控溅射法制备SnOx薄膜进行了系统研究。通过激光共聚焦显微镜、XRD、拉曼光谱、μ-PCD、紫外可见光光谱、霍尔测试,探究了溅射功率、溅射气压、溅射氧分压、退火温度对薄膜光电性能的影响。研究表明,在较低的功率、较高的气压、较高的氧分压溅射以及在较高的温度退火处理时,SnOx薄膜虽然以SnO为主要成分,但部分Sn2+被氧化成Sn4+,甚至出现SnO2的晶粒,此时的薄膜呈现为n型导电。而在过高的功率、过低的气压、过低的氧分压以及过低的退火温度制备的SnOx薄膜中金属Sn的含量过大,带来大量的电子,导致薄膜的电子浓度为1020～1021 cm-3,此时薄膜仍表现为n型导电。仅在非常狭小的工艺参数窗口制备的SnOx薄膜表现为p型导电,薄膜的组分主要是以SnO结晶相为主,伴有少量的金属Sn,少量的金属Sn可以抑制SnO晶格内填隙氧缺陷的形成,有利于薄膜的p型导电。p型性能最好的SnOx薄膜是在120 W、5 m Torr、6%氧分压、200°C的条件下制备得到的,薄膜的载流子浓度为2.66×1017 cm-3,霍尔迁移率为2.64 cm~2 V-1 s-1。其次,用n型Si与优化得到的p型SnOx薄膜制备成p-n结,以验证p型SnOx薄膜用于器件的可行性。p-n结的开启电压为1.42 V,整流比为6.93×10~3,理想因子为4.02。探究了p-n结对不同光照的响应,对p-n结的时间稳定性进行了探究。最后,成功制备性能优异的p-SnOx TFT,器件迁移率为2.96 cm~2V-1 s-1,开关比为1.6×10~3,阈值电压为3.44 V,亚阈值摆幅为14.5 V dec-1。