【摘 要】
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得益于金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）性能提高、尺寸缩小,半导体集成电路技术不断进步。然而,随着MOSFET器件尺寸
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得益于金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）性能提高、尺寸缩小,半导体集成电路技术不断进步。然而,随着MOSFET器件尺寸进入到纳米级别,器件技术的提升面临极大的挑战。短沟道效应、源/漏寄生电阻过大等问题阻碍MOSFET的进一步发展。为克服这些挑战,新技术的引入必不可少。高迁移率的沟道材料被认为是克服这一瓶颈的有效方法。因为锗（Germanium,Ge）有极高的体空穴迁移率与较高的体电子迁移率,所以它被认为是MOSFET沟道材料的有力候选之一。虽然各种高性能Ge MOSFET的方案被不断提出,但是Ge器件的实际应用仍面临着许多问题:Ge MOSFET的源/漏寄生电阻较高、漏电流大、可靠性较低。这些问题是Ge MOSFET实际应用的巨大障碍。本文将从两个方面对Ge MOSFET的可靠性与稳定性进行研究。本文的第二章利用杂质分凝（Dopant Segregation,DS）技术制备了低漏电流的Ni Ge/n-Ge肖特基结源/漏Ge p MOSFET,并证明DS技术能提高Ni Ge/n-Ge肖特基结的热稳定性。本文的第三章对Ge O2/Ge栅极堆垛在电应力下的缺陷行为进行了研究,并发现Ge O2/Ge栅极堆垛中具有较高的缺陷生成速率。
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