近年来，由于在场发射平板显示器及其它真空微电子器件中的重要应用，场发射阴极材料已成为微电子材料研究中的一个热点。本文首先通过简便的无机气—固相元素反应，在铜基底上，成功制备了CuS纳米墙二维阵列及纳米树枝晶，并通过控制升温速度、载气气流速度以及反应温度等反应条件调节CuS的形貌和尺寸。首次研究了纳米墙阵列及树枝晶状的场发射性质，发现CuS纳米墙阵列是一种优良的场发射阴极材料，研究结果表明垂直基底的纳米墙阵列的场发射性能要优于杂乱的非阵列的多极树枝晶。其次，利用简便、无毒的常温固相元素反应在铜基底上制备出硫化铜纳米墙，SEM分析表明大部分硫化铜纳米墙都垂直于基底，其厚度约为80nm。XRD物相分析表明该纳米墙主要由CuS组成。场发射研究表明，该硫化铜纳米墙具有优异的场发射性质，其开启电压7.5 Vμm^-1，最大电流密度达到了2 mA／cm²，好于大多数无机半导体材料，可望研制成实用的场发射体。最后，利用含氰基的富勒烯衍生物诱导了金纳米粒子自组装，研究了其在金属铜表面的自组装行为。具体结果有：利用氰基与金属（金、铜）的强配位作用以及C₆₀分子之间具有很强的π-π堆积作用，我们设计合成了化合物C₆₀（CN）₂，并利用C₆₀（CN）₂诱导金纳米粒子自组装，得到了均匀的C₆₀（CN）₂包覆的金纳米粒子球状聚集体，直径约为100 nm。同时发现C₆₀（CN）₂分子能够在金属铜表面自组装形成大面积的C₆₀（CN）₂纳米线，直径约为50 nm。