探测器的研究是太赫兹研究领域的一个重要分支，利用深亚微米场效应管中等离子体波的激发，使我们能够制造出新的固态太赫兹器件，这将广泛应用到工业、军事以及生物领域。本学位论文主要围绕高迁移率半导体在太赫兹辐射作用下，沟道内等离子体波振荡特性进行研究。论文的研究成果对太赫兹等离子体波探测器性能的改善有重要的指导意义。本论文的主要研究内容和结论包括： 1．通过求解等离子体波的连续性方程以及Euler方程，研究了场效应管中等离子体波的振荡，以及其在各种装置结构中的不稳定性。结果表明，等离子体波振荡能够引起沟道内电荷的周期变化，这一特性可用作太赫兹辐射的探测。 2．理论研究了外加太赫兹辐射下高电子迁移率场效应管，模拟计算了高迁移率半导体的栅和源(或漏)的导纳以及探测响应率与入射太赫兹辐射频率的依赖关系。结果表明，当接触区域的间隙长度逐渐增大时，导纳以及响应率的峰发生红移，且峰的高度下降。这一特性在太赫兹等离子体波探测器的设计上有着重要的作用。 3．理论研究了外加磁场下，高电子迁移率场效应管中二维电子流中等离子体波的不稳定性，模拟计算了在外加磁场下高迁移率场效应管的导纳和探测响应率与入射太赫兹辐射频率的关系。结果表明，当磁场强度增加时，导纳和探测响应率的共振峰都会出现蓝移，且共振峰的高度有所减弱。该现象能够使我们通过调节外加磁场来达到我们想要的探测效果。