【摘 要】
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该文的研究内容分为以下三个方面:1.利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质处外宾Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.2.量子点的
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该文的研究内容分为以下三个方面:1.利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质处外宾Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.2.量子点的生长技术.通过实验对量子点的最佳生长条件进行了探索.利用两步法制备出尺寸小,均匀性较好,密度高的量子点.3.研究了硅衬底上外延的锗量子点的组分和应变.我们在北京同步辐射实验室对样品进行了掠入射X射线衍射测量,测出了锗量子点横向和纵向的晶格常数.
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