众所周知，功率放大器是每个发射机系统的核心部件，随着雷达应用、卫星通信及无线通信的迅速发展，要求研发工程师和科学家们不断地研究和设计出具有更高的输出功率、更高的功率附加效率以及更高的线性度等指标的功率放大器，以满足更快的数据通信、更宽的雷达信号等需求。这就需要不断提高半导体功率管的性能，并把对半导体功率管的应用扩展到其性能的极限，经常使其进入到半导体功率管的非线性工作区域甚至饱和状态，并由此带来了非常严重的非线性特性。功率器件的非线性特性往往会给雷达、卫星及通信系统造成严重问题，往往是信息之间互相干扰、系统有效带宽下降的最主要原因。高效和精确地仿真设计功率放大器，首当其冲的便是功率管的大信号模型，但是这面临着诸多问题，首先很多半导体厂家并不提供设计功放所需要的功率管的大信号模型，其次现在多数大信号模型仍然无法摆脱经典S参数的烙印，只是在针对某型号功放单独设计。本文提出了射频/微波功率晶体管大信号非线性参数化表征与建模方法，建立了功放的非线性Z参数与Y参数与其端口等效非线性电感与等效非线性电容有直接关系，可以据此对功放进行负载匹配，改善功率并提高效率。基于安捷伦科技公司的X参数，利用X实测数据转换得到大信号非线性S参数，并继续转换为大信号非线性Z参数与大信号非线性Y参数。重新设计负载阻抗，与输出阻抗匹配，提高输出功率与效率。非线性参数化表征与建模方法能够更快捷的设计微波功率放大器的端口匹配网络，降低谐波损耗，提高输出功率、效率。