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绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件(SOI-LIGBT)具有电流密度大、击穿电压高、开关速度快及集成度高等诸多优势,已经成为推动功率集成电路发展的核心器件。经过多年的发展,SOI-LIGBT器件的电学性能得到大幅度提升,但是作为末级输出端应用的自保护型SOI-LIGBT器件的ESD(Electro-Static Discharge)响应特性研究还未见报道,限制了SOI-LIGBT器件的应用与发展。因此,需要对自保护型SOI-LIGBT器件ESD可靠性进行深入研究。本文在建立ESD测试与仿真平台的基础上,首先分析了自保护型SOI-LIGBT器件在正向阻断区、电压回滞区、电压维持区和二次击穿区的ESD响应特性机理;然后分析了不同抗闩锁结构对自保护型SOI-LIGBT器件ESD鲁棒性的影响,包括阴极N+/P+间隔结构、P-body包鸟嘴结构、阴极Trench结构和栅Poly分段结构;还研究了不同快关断结构对自保护型SOI-LIGBT器件ESD鲁棒性的影响,包括阳极短路结构、分段阳极结构和阳极P+/P-结构;最终,提出了两种高ESD自保护鲁棒性的器件结构,其中N+辅助触发结构的器件二次击穿电流提升了24%,分段N-buffer结构的器件二次击穿电流提升了11.6%。本文还研究了不同重复ESD应力对自保护型SOI-LIGBT器件电学参数退化的影响。结果表明:ESD脉冲上升沿和下降沿变平缓及脉冲维持时间变长会使器件的触发电压增大,二次击穿电流减小,而ESD脉冲幅度变大对阈值电压、导通电阻及击穿电压的影响不大,但会使器件的饱和电流和二次击穿电流下降。