氧化物薄膜晶体管由于其高迁移率、高光透过率和可弯折等良好特性,在柔性显示领域收到广泛关注。近年来,随着喷墨打印技术在电子器件领域的应用,其能耗低、污染小、成本低、可制备精密图案和大面积连续打印等诸多优点而备受青睐。本文通过喷墨打印技术进行图案化薄膜制备(包括薄膜晶体管有源层和源漏电极层),并对其制备工艺进行优化,最终得到高质量铟掺氧化锌(IZO)薄膜晶体管。具体工作内容如下:(1)控制有机溶剂的挥发速率,在有源层薄膜固化定型过程中,减小咖啡环效应的影响;将各溶质及有机溶剂的受热分解步骤拆分,使其单独进行反应,避免同时反应剧烈放热的过程对薄膜图案形态的破坏。通过多次分步退火方法,利用喷墨打印技术制备了表面平整、结构紧密的TFT有源层图案化薄膜,是制备性能良好的TFT器件关键因素的。同时,也为后续喷墨打印源漏电极提供良好的打印条件。(2)通过改变打印速度、出墨量、出墨频率、线间距等条件,成功制备除形态清晰,边界规则整齐的正方形银电极图案,为制备较高精度的TFT器件提供了良好条件。随后采用优化后的工艺条件,在喷墨打印制备得到的有源层图案上,覆盖正方形银电极,制备完整的TFT器件。实现不同打印精度源漏电极的制备。(3)介绍利用喷墨打印技术在硬质衬底上制备IZO TFT器件的工艺流程,并制备了不同厚度有源层薄膜的TFT器件,通过半导体参数测试仪表征,得到相应的输出特性曲线和转移特性曲线,计算出TFT器件的迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅、电流开关比等重要参数,通过对各参数进行比较分析,当有源层厚度为120 nm时,IZO TFT器件综合性能达到最佳。通过以上工作优化,本论文成功制备出性能良好的IZO TFT器件,最终其其迁移率为0.610cm~2/Vs,电流开关比为7.4×10~6,阈值电压为–2V。