氧化钒薄膜及其在微电子与光电子领域中的应用已经成为国际上相关领域研究的热点之一。在某一特定的温度处,氧化钒薄膜发生金属-半导体相的转变。由于氧化钒薄膜这种优异的电学性能,它可以被应用到许多领域,但是目前氧化钒薄膜的制备工艺还不是很成熟,需要进一步研究。本文旨在研究以真空蒸发法制备具有热敏特性的氧化钒薄膜。本文采用真空蒸发法制备氧化钒薄膜,结合相关理论制定了一系列实验,研究不同制备条件下所得薄膜的性能差异。实验中以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法制备VOx薄膜,研究了基片类型、基片温度、薄膜厚度、退火等因素各自对氧化钒薄膜性质的影响。运用XRD(X射线衍射)分析和SEM(扫描电子显微镜)分析发现随着基片类型和基片温度的不同,薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异;经过电性能测试发现随着基片类型、基片温度、薄膜厚度以及测试方法的不同,薄膜的电阻率和电阻温度系数发生显著变化。通过实验,我们制备出粒径为200nm的多晶氧化钒薄膜,最高的TCR(电阻温度系数)达到-3%/℃。