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本课题采用熔融法制备了高Verdet常数的Ge O2-B2O3-Si O2-Tb2O3(GBST)磁光玻璃,采用光学碱度、光学带隙、稀土光谱理论等探究了磁光玻璃基本物理性能、结构、光谱性能等,并探究了磁场及不同球磨方法对磁光玻璃发光性能的影响,主要研究结论如下:(1)随着Tb2O3含量的增加,磁光玻璃的密度呈抛物线性增加,Verdet常数线性增加,且在Tb2O3含量为70 mol.%时为时密度和Verdet常数分别为6.248 g/cm3和-0.50 min/Oe·cm。光学碱度和氧离子极化率随Tb2O3摩尔含量的增加而增大,高的光学碱度导致Tb3+离子的5d能级分裂加大,增加了磁光玻璃的磁矩和氧离子极化率,导致Verdet常数的加大;(2)GBST磁光玻璃试样在Tb2O3含量为10 mol.%时稳定性最高,析晶倾向最低。经过析晶处理后可以得到Tb BO3晶体。含Tb3+离子的GBST磁光的网络结构是由[Si O4]、[BO3]和[BO4]等混合而成的,且玻璃中存在偏硼酸盐形成大的无穷链状结构,Tb3+填充在其中的两个硼氧三角体[BO3]和一个硼氧四面体[BO4]之间的空隙中;(3)随着Tb2O3摩尔含量的增加,磁光玻璃的吸收边增加,光学带隙降低,但他们变化的幅度不大。Tb3+离子的极化率较低,但其轨道能与O2-离子形成具有较大极化率的基团,电子云容易发生变形。随着Tb3+离子的加入,非桥氧增加,玻璃的光学带隙都减小;(4)GBST磁光玻璃的激发强度、发射强度及荧光寿命都随着Tb2O3摩尔含量的增加呈现先增加后降低的趋势,且在Tb2O3为10 mol.%时达到最大。(5D3,7F6)→(5D4,7F0)交叉弛豫是导致浓度猝灭的主要原因。热处理后磁光玻璃试样的发光强度增大,主要原因为形成微晶后,基质的声子能量降低,Tb3+在晶体场的作用下,降低了电子由高能级向低能级弛豫的几率,使得高能级上的电子布局数增加;(5)引入磁场后,磁光玻璃的发光强度降低,Tb2O3含量与发光强度降低量关系不大,与磁光玻璃自身发光强度有关。即发光强度高的磁光玻璃,引入磁场后,发光强度降低量大。当磁光玻璃粉的粒度降低后,其发光强度降低。在相同粒度下,湿磨工艺比干磨得到的荧光粉发光强度小,在实际应用过程中,要获得较好的发光性能,磁光玻璃粉应采用干磨工艺,颗粒尺寸应适当,结合激发条件、以及使用场合,来确定其大小。磁光玻璃粉体粒度越小,其相对比表面积越大,导致缺陷和猝灭中心的增加,降低了发光强度,此外水中的-OH与玻璃发生反应,使磁光玻璃粉表面的悬键变多,表面缺陷变多,导致荧光淬灭。