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【摘 要】
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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的持续缩小会带来短沟道效应、栅极漏电增强、载流子迁移率退化等一系列严峻问题，同时要在很小的范围实现PN结的突变给制造工艺带来巨
【机 构】
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中国科学院大学
【出 处】
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中国科学院大学
【发表日期】
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2016年期
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