据国际能源机构预测,全世界煤炭只能用220年,石油开采峰值位于2012年,并将在30—60年后消耗尽。而太阳辐射能预计在100亿年里可保持近似恒定的辐射输出,据预测,2050年太阳能将在整个能源结构中占据20%的比例,而到2100年这个比例将达到70%。显然,人类能源结构将在本世纪发生根本的改变,太阳能将成为最重要的能源。为了降低太阳能电池成本,硅片的厚度逐渐减薄。而当少数在流子的扩散长度大于硅片厚度时,电池片上下表面的复合速率对效率的影响显得更加重要。改善表面钝化的质量、降低表面复合速率已经成为提高电池效率的主要手段之一。铝背场能够有效降低电池背表面复合速率,提高转换效率,是商品化晶体硅太阳电池普遍采用的主要背表面钝化结构。针对这一点,本文主要对铝背场钝化质量进行了研究。本文的主要工作和创新之处在于:第一:根据表面复合速率与硅材料有效少子寿命的关系,依据理论公式,通过WT2000对有效少子寿命的测量,计算了表面复合速率,进而研究铝背场的钝化效果。在实验中,我们独立设计了一特殊结构,即在硅片的上下表面分别制备铝背场,用于计算表面复合速率。并将实验结果与传统的IQE拟合法作比较,得到理论值与实验值在长波段匹配良好,验证了本论文提出的计算表面复合速率的方法的可靠性。第二:在本实验过程中,还做了一些其他的辅助实验工作,以确保最终结果的正确。例如:首先进行了少子寿命仪WT2000的测试稳定性实验,得到其测试误差小于±2﹪;接着做了浆料和烧结条件实验,通过对比有效少子寿命以及电池的电学特性,得出使用浆料B在烧结峰值温度为865℃时,测量的有效少子寿命值最大,说明铝背场的钝化效果最好。本文提出的计算表面复合速率的方法相对于传统的IQE拟合法来说,简单可行,且针对性强,具有一定的优势,且可同IQE拟合分析方法联合使用、互为补充。