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阻变存储器具有结构简单,单元尺寸小,存储密度高,保持性好等优点,使其有望成为下一代主流存储器。寻找合适的电致阻变材料,优化电致阻变性能,并对其相关机制进行研究一直是人们关注的热点。本文以ZnO和BN材料为对象,采用磁控溅射方法制备了一系列ZnO和BN基薄膜,系统研究了掺杂和电极对其电致阻变特性的影响。(1)设计并制备了不同金属纳米颗粒(TM=Mn、Cu、Co)掺杂ZnO薄膜作为阻变介质层的Pt/Z
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