碳化硅（SiC）具有宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和漂移速度等特性,是适宜制备功率器件的优异半导体材料。Si C MOSFET器件是适用于高压、大功率应用的第三代功率半导体器件,但是,目前Si C MOSFET器件的沟道迁移率和可靠性差强人意,这主要是因为热氧化生长的二氧化硅（SiO2）与Si C界面具有高密度的界面和近界面陷阱。本文希望探究栅介质层改善工艺,以期获得高质量的4H-Si C MOS器件。本文提出了一种结合了低氧压和高温氧化来生长薄SiO2层的新方法,改善了基于氧化铝（Al2O3）/SiO2/4H-Si C叠栅结构的Si C MOS器件的电学特性。实验结果表明,与800oC热氧化工艺相比,该方法能有效地降低氧化层中和栅氧层/4H-Si C界面的缺陷电荷密度,并能够改善MOS结构的击穿特性。通过高温低氧压氧化法,将样品中距4H-Si C导带边缘（EC）0.2e V能级下的界面态密度(Dit)降至6.6×1012cm-2e V-1,比直接沉积Al2O3/4H-Si C样品降低了约4倍。并且,高温低氧压样品的击穿电场（8.3MV/cm）高于其它样品。通过X射线光电子能谱测量（XPS）及透射电子显微镜（TEM）表征,获悉了器件特性改进的内在原因。XPS测量结果表明,采用高温低氧压氧化法不仅可以获得超薄SiO2层且氧化层中Si CxOy的含量显著降低。TEM结果显示高温低氧压法氧化10min得到的SiO2层厚度大约为0.4nm。为了探索薄氧化层的最佳生长工艺,本文围绕1150oC低氧压氧化工艺探究了不同氧化时间对器件性能的影响,选择了10min到120min之间的四个氧化时间。实验结果表明,低氧压氧化30min的样品频散、平带电压漂移和Dit参数值相对最小,表现出了最佳的电学性能。所以,薄SiO2层的厚度对Al2O3/SiO2/4H-Si C MOS器件性能的影响很大,不管是太薄还是太厚都会导致电学性能降低。综上所述,Al2O3/SiO2叠栅结构是一种应用于4H-Si C MOS器件的好选择,其中薄层SiO2的工艺条件非常关键,高温低氧压工艺是制备高质量薄层SiO2的有效方法。但是基于该结构的Si C MOSFET器件的最佳制备工艺及可靠性仍需要更系统深入的研究。