薄膜晶体管（TFT）是目前主流显示技术中的关键器件,其中,栅极绝缘层是薄膜晶体管实现低功耗和高稳定性的核心材料之一。氧化锆（Zr O2）等高介电（High-k）绝缘材料具有高电容和宽禁带的特点,相较于Si Nx和Si Ox等常规绝缘材料,可以有效提高显示单元阵列的密度和性能。传统真空镀膜制备绝缘层存在成本高、效率低的问题,溶液加工法可实现薄膜的直接图形化,适合大面积薄膜制备。本文重点为印刷氧化锆绝缘层薄膜晶体管,开发了绝缘墨水,研究了印刷技术及低温工艺,并实现了柔性晶体管的制备。本论文系统分析了氧化锆绝缘墨水的可印刷性和固化过程中的组分变化,研究了旋涂及喷墨打印绝缘薄膜技术,使用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）有机绝缘材料掺杂提高印刷氧化锆绝缘层的抗弯折性,通过优化前驱体材料及UV辅助热退火工艺实现了绝缘薄膜的低温制备,最终得到柔性TFT器件。主要研究成果如下:（1）研究分析了颗粒型和前驱体型氧化锆墨水的特性,挖掘出适用于制备印刷绝缘薄膜的前驱体型墨水。利用TG/DSC、FTIR和XRD测试手段研究了退火过程中氧化锆墨水固化及致密化过程,发现Zr NO3和Zr OCl2前驱体有利于实现墨水低温成膜。揭示墨水粘度、张力和流变特性与可印刷性的联系,提出墨水的印刷稳定性可用不同温度和不同剪切速率下粘度的稳定性来表征。（2）研究了旋涂和喷墨打印方式中前驱体溶液的物理特性（粘度、张力和浓度）、印刷参数和退火工艺对氧化锆绝缘层及器件的影响。其中,旋涂制备的66nm氧化锆绝缘层器件迁移率10.2cm2/V·s,开关比2.0×105;喷墨打印制备的55nm氧化锆绝缘层器件迁移率12.4cm2/V·s,开关比1.2×106。偏压稳定性研究发现,在5V正偏压下条件下,1小时内喷墨打印氧化锆TFT阈值电压正漂1.3V,旋涂器件为0.4V,证明溶液法绝缘层在显示应用中具有一定的潜力。（3）研究了PVP有机绝缘材料对氧化锆薄膜的改性作用。印刷制备了PVP、PVP掺杂Zr O2和Zr O2/PVP叠层三种栅极绝缘层的TFT器件。研究表明高温退火会破坏PVP分子结构,200℃退火的印刷PVP绝缘层器件迁移率最高,为4.6cm2/V·s,开关比≥105。叠层绝缘层结构由于表面不平整以及更多的界面缺陷,器件漏电流较大,开关比仅为103。而PVP微量掺杂Zr O2可降低绝缘层与有源层界面的缺陷,0.5%PVP掺杂Zr O2绝缘层的器件迁移率8.2cm2/V·s,开关比1.5×105,正偏压应力下Vth正漂0.8V,且迁移率和开关比无明显下降。混合绝缘体系提高了氧化锆薄膜的抗弯折性,为制备柔性器件提供条件。（4）研究了印刷氧化锆的低温工艺,通过优化前驱体材料以及UV辅助热退火工艺提高低温退火绝缘层的可靠性。提出采用μ-PCD测试来分析大面积印刷绝缘薄膜的缺陷和均匀性,优选出以Zr OCl2为前驱体的墨水,在退火温度为200℃的条件下实现了低漏电流密度(5×10-6A/cm2@10V)绝缘薄膜的制备。基于印刷PVP掺杂Zr O2绝缘体系获得了柔性TFT器件,器件在20mm弯曲半径条件下弯折1万次后迁移率保持在5.5cm2/V·s,开关比约为105,关态电流6.1×10-10A,具有一定抗弯折特性,对印刷柔性薄膜晶体管的制备有一定的借鉴意义。