【摘 要】
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十位数模转换器的设计,是受单位委托设计开发的一款单片电路。该电路为中规模数模混合集成电路。电路的设计采用正向设计和逆向设计相结合的方法完成。逆向设计主要是对数模转
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十位数模转换器的设计,是受单位委托设计开发的一款单片电路。该电路为中规模数模混合集成电路。电路的设计采用正向设计和逆向设计相结合的方法完成。逆向设计主要是对数模转换器AD7520做了解剖分析,逆向设计了新电路中的R-2R电阻网络和模拟开关部分。由于AD7520中没有基准电路,所以在查阅了大量资料的基础上,正向设计了一款带隙基准源,并与AD7520集成在一起。本课题基于CSMC 0.6μm CMOS N-well DPDM(Double Poly Double Metal,双层多晶双层金属)工艺设计的。对AD7520的设计包括:芯片的逆向解剖分析、电路提取、原理分析和电路仿真,在0.6μm的工艺条件下达到(大多优于)原电路的功能和性能。正向设计的带隙基准源,分析了带隙基准源的基本原理,给出了带隙基准源的电路结构,详细讨论了其中运放部分的设计,给出电路的仿真结果。搭建整体数模转换器的电路结构并进行仿真,给出仿真结果。最后完成了整个数模转换器的版图设计,结合数模混合电路版图设计的特点合理进行布局布线,并通过了DRC、LVS,提取带有寄生参数的网表做后仿真。本课题全部工作在PC机上完成,电路设计采用Workview Office软件;版图设计采用L-EDIT软件;应用HSPICE软件对电路和版图的功能和性能进行仿真。电路实现了数模转换的功能,基于5V单电源条件下工作,分辨率达到10位,采样速率为50ksps,功耗为4.32mW,版图面积为0.8mm~2。最小INL为0LSB,最大INL为+2.53LSB。最小DNL为-0.47LSB,最大DNL为+0.46LSB。其中带隙基准源为3.3V,零温度系数点在27℃。
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