【摘 要】
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该文主要用分子束外延(MBE)生长方法,研究了原子氢辅助以及生长停顿对量子点形貌特征、位置可控性和发光特性的影响.论文具体内容包括:1)研究了在MBE中引入原子氢,对衬底脱氧
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该文主要用分子束外延(MBE)生长方法,研究了原子氢辅助以及生长停顿对量子点形貌特征、位置可控性和发光特性的影响.论文具体内容包括:1)研究了在MBE中引入原子氢,对衬底脱氧温度以及外延生长的影响.2)利用原子氢辅助MBE,在GaAs(311)A衬底上成功获得了台阶状表面结构.3)在已获得的GaAs(311)A表面上的台阶状结构之上,进行了位置控制InGaAs量子线以及InAs量子点的生长.4)在GaAs(311)A衬底上,进行了一系列量子点盖层中间生长停顿的研究,发现生长停顿对于改善(311)A面上量子点的发光特生有良好的改善作用.5)通过引入生长停顿,低温循环生长量子点,改善了量子点形貌,成功获得1.3-1.55μm发光的InAs /GaAs自组织量子点材料.
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