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半导体量子点(CdSe)中的超快载流子动力学过程光学研究
【机 构】
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北京大学
【出 处】
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北京大学
【发表日期】
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1995年期
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期刊
稀土掺杂氧化镓发光材料的研究已被很多国内外研究者们所关注,主要是因其在固体激光器、光激发器件、光放大器以及光波导等区域的新颖应用。基质材料的选取会直接影响到稀土发光材料的性能,故选择合适的基质材料是至关重要的。本文所探讨研究的氧化镓材料具有良好的热、化学稳定性,是目前已知的TCO材料中禁带宽度最大的半导体氧化物,带隙约为4.9eV,这使之易于发现或者激发出紫外、可见、近红外光谱,这一特性将使氧化镓