【摘 要】
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ZnSe晶体属直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体,在蓝光半导体激光器件、非线性光热器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。使用MBE和MOCVD方法制备ZnSe薄膜的工艺已经比
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ZnSe晶体属直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体,在蓝光半导体激光器件、非线性光热器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。使用MBE和MOCVD方法制备ZnSe薄膜的工艺已经比较成熟,但由于这两种方法需要昂贵的设备和很高的运行成本,所以不利于ZnSe薄膜制备技术的推广和发展。本文采用恒电位沉积的方法以ZnCl2和SeO2的水溶液为电解液,在ITO透明导电玻璃基底上制备出接近化学计量的、纯立方相的ZnSe薄膜。考察了PH值、电流密度、沉积温度、n(Z2+)/n(SeO32-)浓度比、沉积时间等因素对ZnSe薄膜性能的影响。通过正交实验确定了制备ZnSe薄膜的最佳工艺条件:电解液的PH值为6、电解液的电流密度为3mA.cm-2、电解液的温度为65℃、电解液的n(Zn2+/n(SeO32-)浓度比为250:1、沉积时间为10min。采用XRD、SEM、和UV-VIS对ZnSe薄膜的结晶形貌、透光率进行了表征。
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